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28V器件
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ALGH00S010CB(S)
产品尺寸: 0504
工作电压: 28 V
频段: DC-8.0 GHz
功率: 10.23 W
咨询热线:
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产品介绍

ALGH00S010CB(S)

概述

ALGH00S010CB(S)是一种外匹配的氮化镓(GaN)高电子迁移率功率管(HEMT)。ALGH00S010CB(S)工作电压是28V,为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案,具有高效率、高增益和宽带宽能力,成为线性和饱和放大器电路的理想选择。

特性

u GaN-on-SiC HEMT技术

u HF到6 GHz工作频率范围

u 输入预匹配

u 测试频率为2.6GHz时典型值

Ø 28V直流供电

Ø 8.5dB 功率增益

Ø 10W典型输出功率

Ø Psat 效率为 46.7%

满足Pb-free和RoHS标准

image.pngimage.png


典型特性 (300-3000MHz)

测试条件 供电:VGS=-2.39V  VDS=28V  IDQ=40mA  信号制式:单音连续波

   频率(MHz)

  输入功率(dBm)

  输出功率(dBm)

  输出功率(W)

 电流A)

   增益(db)

 效率 (%)

300

28.5

39.2

8.32

0.53

10.7

56.0

400

26.2

39.0

7.94

0.43

12.8

66.0

500

23.8

39.0

7.94

0.40

15.2

70.9

600

23.1

39.6

9.12

0.46

16.5

70.8

700

24.3

39.8

9.55

0.49

15.5

69.6

800

23.7

39.6

9.12

0.49

15.9

66.5

900

24.9

40.2

10.47

0.58

15.3

64.5

1000

24.4

40.3

10.72

0.58

15.9

66.0

1100

24.7

40.3

10.72

0.61

15.6

62.7

1200

24.7

40.5

11.22

0.63

15.8

63.6

1300

25.6

40.2

10.47

0.61

14.6

61.3

1400

25.8

40.4

10.96

0.63

14.6

62.2

1600

26.9

40.2

10.47

0.69

13.3

54.2

1800

28.5

40.2

10.47

0.67

11.7

55.8

2000

29.7

40.2

10.47

0.78

10.5

47.9

2200

30.2

39.8

9.55

0.81

9.6

42.1

2400

30.5

40.1

10.23

0.84

9.6

43.5

2600

31.7

40.2

10.47

0.80

8.5

46.7

2800

32.5

40.2

10.47

0.78

7.7

47.9

3000

31.9

39.7

9.33

0.87

7.8

38.3

3200

31.8

39.6

9.12

0.95

7.8

34.3

3400

31.8

40.3

10.72

0.97

8.5

39.5

3600

31.8

40.5

11.22

0.95

8.7

42.2

3800

32.3

40.5

11.22

0.96

8.2

41.7

4000

32.9

40.4

10.96

0.95

7.5

41.2

4200

32.5

40.3

10.72

0.96

7.8

39.9

4400

32.7

40.1

10.23

0.97

7.4

37.7

4600

33.0

40.2

10.47

1.01

7.2

37.0

4800

33.6

40.6

11.48

1.02

7.0

40.2

5000

32.6

40.7

11.75

0.91

8.1

46.1

5200

31.7

40.6

11.48

0.80

8.9

51.3

5400

32.0

40.6

11.48

0.75

8.6

54.7

5600

32.3

40.6

11.48

0.73

8.3

56.2

5800

31.9

40.0

10.00

0.69

8.1

51.8

6000

31.5

39.8

9.55

0.67

8.3

50.9 


封装尺寸

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