ALGV12P1K2CKP(S)
概述
ALGV12P1K2CKP(S)是一种外匹配的氮化镓(GaN)高电子迁移率功率管(HEMT)。ALGV12P1K2CKP(S)工作电压是50V，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案，具有高效率、高增益和宽带宽能力，成为线性和饱和放大器电路的理想选择。
特性
u GaN-on-SiC HEMT技术
u 1030到1090 MHz工作频率范围
u 输入预匹配
u 测试频率为1070MHz 时典型值
Ø 50V直流供电
Ø 17.9dB 功率增益
Ø 1047.1W典型输出功率
Ø Psat 效率为 60.5%
满足Pb-free和RoHS标准
管脚定义
极限值 （除非另有说明，否则非同时，TC=25°C）
参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
漏源极电压 | VDSS | 65 | Volts |
栅源极电压 | VGS | -8, +2 | Volts |
储存温度 | TSTG | -65, +150 | °C |
工作结温 | TJ | 220 | °C |
焊接温度 | TS | 245 | °C |
热特性
特性 | 符号 | 值 | 单位 |
热阻，结温到外壳 T C =80°C，T J =200°C，直流功耗 | RJC | 2.9 | °C/W |
u RJC仅在直流条件下进行测试，它与所有测试条件下的最高热电阻值有关。在不同的 RF 操作条件下，如 CW 信号、脉冲 RF 信号等，它可能不同。
u 在最高结温下连续运行会影响 MTTF。
电气特性 （除非另有说明，否则 TC=25°C）
直流特性 | ||||||
特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
栅极阈值电压 | VGS(TH) | - | -3.5 | - | Volts | VDS=24V，ID=10mA |
栅极静态电压 | VGS(Q) | - | -2.75 | - | Volts | VDS=50V，ID=400mA |
漏源击穿电压 | V（BR）DSS | 70 | - | - | Volts | VDS=-4V，ID=1mA |
射频特性（频率=1070MHz，除非另有说明） | ||||||
功率增益 @Psat | GP | - | 17.9 | - | dB | VDD=50V，ID=400mA |
功率输出 | Psat | - | 1047.1 | - | W | VDD=50V，ID=400mA |
漏极效率 @Psat | Eff | - | 60.5% | - | % | VDD=50V，ID=400mA |
输出失配极限 | VSWR | - | - | 10:1 | - | 全相位角无损坏 VDD=50V， IDQ=400mA，POUT=1200W （CW） |
典型特性 （1030-1090MHz）
测试条件 供电：VGS=-3.16V VDS=50V IDQ=400mA 信号制式：单音连续波
频率 （MHz） | 输入功率 (dBm) | 输出功率 (dBm) | 输出功率 (W) | 电流 | 增益 （db） | 效率 （%） |
1030 | 42.8 | 60.9 | 1230.3 | 3.93 | 18.1 | 62.6 |
1040 | 42.3 | 60.7 | 1174.9 | 3.77 | 18.4 | 62.3 |
1050 | 42.3 | 60.4 | 1096.5 | 3.65 | 18.1 | 60.1 |
1060 | 42.6 | 60.4 | 1096.5 | 3.59 | 17.8 | 61.1 |
1070 | 42.3 | 60.2 | 1047.1 | 3.46 | 17.9 | 60.5 |
1080 | 41.3 | 60.4 | 1096.5 | 3.40 | 19.1 | 64.5 |
1090 | 41.3 | 60.6 | 1148.2 | 3.33 | 19.3 | 69.0 |
测试电路
封装尺寸
中文版
English
