ALGV12P1K2CKP(S)
概述
ALGV12P1K2CKP(S)是一种外匹配的氮化镓(GaN)高电子迁移率功率管(HEMT)。ALGV12P1K2CKP(S)工作电压是50V，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案，具有高效率、高增益和宽带宽能力，成为线性和饱和放大器电路的理想选择。
特性
u GaN-on-SiC HEMT技术
u 1030到1090 MHz工作频率范围
u 输入预匹配
u 测试频率为1070MHz 时典型值
Ø 50V直流供电
Ø 17.9dB 功率增益
Ø 1047.1W典型输出功率
Ø Psat 效率为 60.5%
满足Pb-free和RoHS标准
典型特性 （1030-1090MHz）
测试条件 供电：VGS=-3.16V VDS=50V IDQ=400mA 信号制式：单音连续波
频率（MHz） | 输入功率(dBm) | 输出功率(dBm) | 输出功率(W) | 电流（A） | 增益（db） | 效率 （%） |
1030 | 42.8 | 60.9 | 1230.3 | 3.93 | 18.1 | 62.6 |
1040 | 42.3 | 60.7 | 1174.9 | 3.77 | 18.4 | 62.3 |
1050 | 42.3 | 60.4 | 1096.5 | 3.65 | 18.1 | 60.1 |
1060 | 42.6 | 60.4 | 1096.5 | 3.59 | 17.8 | 61.1 |
1070 | 42.3 | 60.2 | 1047.1 | 3.46 | 17.9 | 60.5 |
1080 | 41.3 | 60.4 | 1096.5 | 3.40 | 19.1 | 64.5 |
1090 | 41.3 | 60.6 | 1148.2 | 3.33 | 19.3 | 69.0 |
封装尺寸
中文版
English
