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50V器件
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ALGV12S300CG(S)
产品尺寸: 1010
工作电压: 50 V
频段: 0.96-1.23 GHz
功率: 398.1 W
咨询热线:
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产品介绍

ALGV12S300CG(S)

概述

ALGV12S300CG(S)是一种内部预匹配的氮化镓(GaN)高电子迁移率功率管(HEMT)。ALGV12S300CG(S)工作电压是50V,为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案,具有高效率和高增益特点,成为线性和饱和放大器电路的理想选择。

特性

u 测试频率为1030到1090MHz 时的特性

Ø 20.3dB 功率增益

Ø Psat 效率为 67%

image.pngimage.png


管脚定义

名称

管脚

描述

简化框图

ALGV12S300CGS

D

Drain漏极

image.png 

G

Gate栅极

ALGV12S300CG

D

Drain漏极

image.png 

G

Gate栅极


极限值 (除非另有说明,否则非同时,TC=25°C)

参数

符号

极限值

单位

漏源极电压

VDSS

120

Volts

栅源极电压

VGS

-8, +2

Volts

储存温度

TSTG

-65, +150

°C

工作结温

TJ

220

°C

焊接温度

TS

245

°C


热特性

特性

符号

单位

热阻,结温到外壳

T C =80°C,T J =350°C,直流功耗

RJC

0.9

°C/W

u RJC仅在直流条件下进行测试,它与所有测试条件下的最高热电阻值有关。在不同的 RF 操作条件下,如CW 信号、脉冲 RF 信号等,它可能不同。

在最高结温下连续运行会影响 MTTF。


电气特性 (除非另有说明,否则 TC=25°C)

直流特性

特性

符号

最小值

典型值

最大值

单位

条件

栅极阈值电压

VGS

-

-3.5

-

Volts

VDS=50V,ID=10mA

栅极静态电压

VGS

-

-2.99

-

Volts

VDS=48V,ID=150mA

漏源击穿电压

V(BR)DSS

135

-

-

Volts

VDS=-8V,ID=1mA

射频特性(频率=1050MHz,除非另有说明)

功率增益 @Psat

GP

-

20.3

-

dB

VDD=48V,ID=150mA

功率输出

Psat

380

389

-

W

VDD=48V,ID=150mA

漏极效率 @Psat

Eff

66.6

69

-

%

VDD=48V,ID=150mA

输出失配极限

VSWR

-

-

5:1

-

全相位角无损坏

VDD=50V, IDQ=150mA,POUT=-300 W

(CW)


典型特性 1030-1090MHz)

测试条件 供电:VGS=-2.99V  VDS=48V  IDQ=150mA  信号制式:脉冲 占空比:10% 脉冲宽度:100us

    频率

MHz)

   输入功率

(dBm)

P3输出功率

(dBm)

 P3输出功率

(W)

   增益

db)

效率 %)

1030

37.0

56.2

416.9

19.2

66.8

1040

36.3

56.1

407.4

19.8

69.0

1050

35.6

55.9

389.0

20.3

68.7

1060

34.8

55.8

380.2

21.0

66.6

1070

35.2

55.8

380.2

20.6

66.6

1080

35.4

55.9

389.0

20.5

68.1

1090

35.6

55.8

380.2

20.2

68.9 


测试电路

image.png

封装尺寸

image.png

image.png


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